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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
63
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2154
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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