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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
63
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2154
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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