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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3035
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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