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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
63
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
51
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2248
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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