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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
63
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2248
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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