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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2987
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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