RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
63
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2987
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link