RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
63
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3075
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link