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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
3,231.0
15.8
写入速度,GB/s
1,447.3
13.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3075
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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