RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
63
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
54
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2511
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link