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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
63
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
54
读取速度,GB/s
3,231.0
15.7
写入速度,GB/s
1,447.3
11.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2511
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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