RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Comparar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Pontuação geral
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1990
3158
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparações de RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link