RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
3158
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link