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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
51
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1990
2248
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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