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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
51
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2248
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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