RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
50
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3606
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link