RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3606
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link