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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Pontuação geral
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
68
Por volta de -127% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,944.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,973.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,944.9
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
673
2846
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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