RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2846
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link