RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3486
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link