RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
16.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3726
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link