RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3726
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link