RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3772
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link