RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3772
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link