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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2994
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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