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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641160 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO 5641160 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2613
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
INTENSO 5641160 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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