RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против INTENSO 5641160 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
INTENSO 5641160 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641160 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2613
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
INTENSO 5641160 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link