RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
50
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2946
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link