RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Comparar
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
5.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2376
1806
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparações de RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link