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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
87
Por volta de -47% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
59
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2727
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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