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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
87
左右 -47% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
59
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2727
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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