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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
87
左右 -47% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
59
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2727
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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