SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

总分
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

总分
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 62
    左右 26% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.6 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.7 left arrow 14.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 62
  • 读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 16.7
  • 写入速度,GB/s
    13.6 left arrow 7.0
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2717 left arrow 1808
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较