RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
1808
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link