SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Punteggio complessivo
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 62
    Intorno 26% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 7.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 14.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 62
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.2 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    13.6 left arrow 7.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2717 left arrow 1808
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RAM 1
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