RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3384
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link