RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
87
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
16.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3823
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link