RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
87
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3535
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link