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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
87
Por volta de -263% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
4069
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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