RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
87
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
9.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2713
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link