RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
87
Por volta de -248% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2704
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link