RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2909
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link