RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
87
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2909
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link