RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
87
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2271
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link