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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
87
Por volta de -172% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2641
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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