RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
87
Por volta de -190% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2969
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link