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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
87
Por volta de -248% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2489
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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