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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs AMD R948G3206U2S 8GB

Pontuação geral
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Pontuação geral
star star star star star
AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 18.5
    Valor médio nos testes
AMD R948G3206U2S 8GB Razões a considerar
AMD R948G3206U2S 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 53
    Por volta de -47% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.9 left arrow 1,590.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    53 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,726.4 left arrow 18.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,590.1 left arrow 12.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    522 left arrow 3320

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

AMD R948G3206U2S 8GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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Memória RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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Memória RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Memória RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Memória RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Memória RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Memória RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Memória RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Memória RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Memória RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Memória RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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Memória RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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