RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
53
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3075
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link