RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
53
Por volta de -112% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2871
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link