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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
15.7
写入速度,GB/s
1,590.1
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2871
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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